SiLM2660/61是用于电池充电/放电系统控制的低功耗、高边N沟道FET驱动器（qì）。高边保护功（gōng）能可避免系（xì）统的（de）接地（dì）引脚断开连（lián）接，以确保电池组和主机系统之（zhī）间的持续通信（xìn）。SiLM2660具有额外的PFET控制输出，以允许对深（shēn）度放电的电池进行低电流预充电，并且还集成了（le）用于主（zhǔ）机监（jiān）控的电池PACK+电（diàn）压（yā）检测。
独立的（de）使能输入接口允许电池充电和放电FET分别导通和（hé）关断（duàn），为电池系统保护提供可（kě）靠性和设计灵（líng）活性。
高边NFET驱动器，具有（yǒu）极短的开启和关闭时间，用于迅速保护电（diàn）池。
预充电（diàn）PFET驱（qū）动器为深度耗尽的电（diàn）池组提供电流（liú）限制（zhì）的预（yù）充（chōng）电功能(仅（jǐn）适（shì）用于（yú）SiLM2660)。
充电和（hé）放电（diàn）的独立使（shǐ）能控制。
基于外部电容（róng）器可扩展的电荷泵，可（kě）适用多颗NFET并联驱动。
高（gāo）的输入耐压值（最大100V）。
可（kě）配置的电池组（zǔ）电压检测功能（仅适用于SiLM2660）。
支（zhī）持可配置的通（tōng）用和独立充（chōng）电和放电（diàn）路径管理。
低功耗：正常模（mó）式：40uA；待机模式：小于10uA。
400 080 9938
