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    样片申请 | 简体中文
    SiLM2014A
    200V低压驱动（dòng）芯片
    样（yàng）片申请
    SiLM2014A_Datasheet
    产品（pǐn）概述
    产品（pǐn）特性
    安规（guī）认证
    典型应用（yòng）图
    产品（pǐn）概（gài）述（shù）

    SiLM2014A 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动（dòng）器。采用专有的高压（yā）集成电（diàn）路和锁存免疫（yì）的CMOS技术可提供可靠的单芯（xīn）片（piàn）驱动方案（àn）。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出（chū）兼容（róng），最低（dī）支持3.3V逻辑。输出驱动（dòng）器具有高（gāo）脉冲电流缓冲级，以减小驱动（dòng）器交叉导（dǎo）通。浮动（dòng）通道可用于驱动高边（biān）配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达200V。

    产品特性

    为自举操作设计的浮动通（tōng）道

    完全运（yùn）行时电压高达 200V

    容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影（yǐng）响

    驱（qū）动电（diàn）源范围从 10V 到 18V

    欠压闭锁

    3.3V、5V 和 15V 逻辑输（shū）入兼容

    驱动电（diàn）流 ：1A/1.5A

    防止交叉导通逻辑

    两通道间匹配传输延迟

    输出信号与输（shū）入（rù）信号同相

    通过无铅认证

    提供 SOP-8 封装选项

    典型的开通/关断延时：260 ns/150 ns

    死区时间：150 ns

    安规（guī）认（rèn）证
    典型应（yīng）用图

    image.png

    产品参数（shù）表

    展（zhǎn）开过滤器
    Part Number Power Switch IOH/IOL (A) Bus voltage （Max）（V） Input VCC (V) Ton/Toff Typ(ns) Tr/Tf Typ(ns) Deadtime Typ(ns) Delay Match Max(ns) Operating Temp（℃） Package Group Packing/QTY
    SiLM2014ACA-DGIGBT/ MOSFET1.0/1.520010-18260/15025/10150--40 ~ 125SOP8Reel/2500
    应用案例

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