SiLM27519 器（qì）件是单通道高速低边门（mén）极（jí）驱动器，可（kě）有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率（lǜ）开（kāi）关。SiLM27519 采用一（yī）种能（néng）够从内部极大的（de）降（jiàng）低直通（tōng）电（diàn）流的设计，将高峰（fēng）值的源电流和（hé）灌电流脉冲提供（gòng）给电容负载，以实现轨到轨（guǐ）的驱（qū）动能力和典型（xíng）值仅为（wéi） 18ns 的极小（xiǎo）传播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供电情况（kuàng）下，能够提供 4A 的峰值源（yuán）电流和 5A 的峰值（zhí）灌电流。
低成本的（de）门极（jí）驱动（dòng）方案可用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰（fēng）值源电流和 5A 的峰值（zhí）灌（guàn）电流能力
快速的传输延时（典型值为 18ns）
快速的（de）上升和下降（jiàng）时间（典型（xíng）值为（wéi） 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的单电（diàn）源范围
VDD 欠（qiàn）压（yā）闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入（rù）逻辑电压阈值
双输入设计(可选择反相或非反相驱动（dòng）配（pèi）置)
输入浮空时输出保持为低（dī）
工（gōng）作温度（dù）范围为 -40°C 到（dào）140°C
提供 SOT23-5 的封装选项
400 080 9938
